TLP200D.

PHOTOCOUPLER GaAs IRED & PHOTO-MOS FET The TLP200D is an optocoupler manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Isolation Voltage:** 5000 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V (max)  
- **Emitter-Collector Voltage (VECO):** 7 V (max)  
- **Forward Current (IF):** 50 mA (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 200 mW (max)  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 10 mA  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  
- **Package Type:** DIP-6  

### **Descriptions:**  
- The TLP200D is a high-speed optocoupler with a GaAlAs LED and a phototransistor detector.  
- It provides electrical isolation between input and output circuits.  
- Suitable for digital signal transmission in industrial and consumer applications.  

### **Features:**  
- **High Isolation Voltage:** Ensures safety in high-voltage applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-speed signal transmission.  
- **Compact DIP-6 Package:** Easy to integrate into PCB designs.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in harsh environments.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba's official datasheet.

PHOTOCOUPLER GaAs IRED & PHOTO-MOS FET