TLP521-2

Photocoupler GaAs Ired & Photo -Transistor The TLP521-2 is an optocoupler manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Isolation Voltage:** 5000 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 55 V (max)  
- **Emitter-Collector Voltage (VECO):** 7 V (max)  
- **Collector Current (IC):** 50 mA (max)  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA, VCE = 5 V  
- **Input Forward Current (IF):** 25 mA (max)  
- **Forward Voltage (VF):** 1.15 V (typ) at IF = 5 mA  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  
- **Package Type:** DIP-8  

### **Descriptions:**  
- The TLP521-2 consists of two optically coupled gallium arsenide infrared LEDs and silicon NPN phototransistors in a single package.  
- It provides electrical isolation between input and output circuits.  
- Commonly used in signal isolation, noise suppression, and voltage level shifting applications.  

### **Features:**  
- **High Isolation Voltage:** 5000 Vrms ensures strong electrical isolation.  
- **Dual-Channel Configuration:** Contains two independent optocouplers in one package.  
- **Compact DIP-8 Package:** Suitable for PCB mounting.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in extreme conditions.  
- **Low Input Current Requirement:** Efficient for driving with low-power circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Photocoupler GaAs Ired & Photo -Transistor