TM3055

RF AMPLIFIER The part TM3055 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -3A  
- **Collector Dissipation (PC):** 30W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 (min) at IC = -1A, VCE = -5V  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low to medium power circuits.  
- Encased in a TO-220 package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- High current capability.  
- Low saturation voltage.  
- Complementary NPN type available (2SC3055).  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

RF AMPLIFIER