TN0201L

Enhancement-Mode MOSFET Transistors The part TN0201L is a high-performance N-channel MOSFET transistor. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.5V (min) - 1.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TN0201L is a surface-mount MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device features a low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Low Gate Charge:** Improves high-frequency performance.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  
- **Compact Package:** Available in SOT-23 or similar small form factors for space-constrained designs.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Enhancement-Mode MOSFET Transistors