TN0401L

Enhancement-Mode MOSFET Transistors Here are the factual details about part TN0401L manufacturer VIS specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** VIS (Vishay Intertechnology)  
### **Part Number:** TN0401L  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 5.5mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 50nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The TN0401L is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- TrenchFET® Gen III technology for improved efficiency  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on VIS's official datasheet for the TN0401L.

Enhancement-Mode MOSFET Transistors