TN0606N5

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0606N5 is a N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1 V to 2 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The TN0606N5 is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for surface-mount applications (DPAK package)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs