TN2540N8-G

Low Threshold N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET The TN2540N8-G is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by SUPERTEX. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SUPERTEX  
- **Part Number:** TN2540N8-G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 40Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6.5pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2.5pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 1pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
The TN2540N8-G is a high-voltage N-channel MOSFET designed for applications requiring efficient switching and low gate drive power. It is suitable for high-voltage circuits, power supplies, and other electronic systems where fast switching and reliability are essential.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 400V drain-source voltage rating.  
- **Low Input Capacitance:** Enables fast switching performance.  
- **Low Threshold Voltage:** Ensures compatibility with low-voltage drive circuits.  
- **TO-92 Package:** Compact and widely used for through-hole mounting.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for industrial and commercial applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Low Threshold N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET