TP2510N8

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TP2510N8 is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by Supertex Inc.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for low-power applications requiring high-voltage handling.  
- Used in power supplies, LED drivers, and other high-voltage circuits.  
- Manufactured using Supertex's proprietary high-voltage MOSFET process.  

This information is based on the datasheet from Supertex Inc. (now part of Microchip Technology).

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs