TPC6109-H

Power MOSFET (P-ch single) Here are the factual details about part TPC6109-H from the manufacturer TOSHIBA:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TPC6109-H  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.9Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications (600V).  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the heatsink and the device.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in inductive load conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the TPC6109-H MOSFET. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Power MOSFET (P-ch single)