TPC8009H

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) High Speed and High Efficiency DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Here are the factual details about part TPC8009H from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Manufacturer Name:** Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** Photocoupler (Optocoupler)  
- **Input Type:** Infrared LED  
- **Output Type:** Phototransistor  
- **Isolation Voltage:** 5000 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V  
- **Collector Current (IC):** 50 mA  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA, VCE = 5 V  
- **Turn-On Time (ton):** 4 μs (max)  
- **Turn-Off Time (toff):** 3 μs (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  
- **Package Type:** DIP-4 (4-pin Dual In-line Package)  

### **Descriptions:**  
- The TPC8009H is a high-speed photocoupler designed for signal isolation in electronic circuits.  
- It consists of a gallium arsenide infrared LED and a silicon phototransistor.  
- Provides electrical isolation between input and output circuits.  

### **Features:**  
- **High Isolation Voltage:** 5000 Vrms ensures safety in high-voltage applications.  
- **High-Speed Response:** Suitable for fast-switching applications.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Can function in extreme conditions.  
- **Compact DIP-4 Package:** Easy to integrate into PCB designs.  
- **Reliable Signal Transmission:** Ensures stable performance in industrial and communication systems.  

This information is based solely on the manufacturer's provided specifications. Let me know if you need further details.

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