TPC8010-H

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications The TPC8010-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Toshiba**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package with three leads)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Suitable for power switching applications  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- Switching regulators  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TPC8010-H MOSFET. For precise details, always refer to the manufacturer's documentation.

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