TPC8016-H

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III) The TPC8016-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The TPC8016-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High-speed switching performance  
- High current handling capability  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III)