Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TPC8045-H is a power MOSFET manufactured by TOS (Toshiba). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 45V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 320A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (typical) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  
### **Description:**  
The TPC8045-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-current switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency applications.  
### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Avalanche energy specified for reliability in harsh conditions  
- Lead-free and RoHS compliant  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For precise details, refer to the official TOS datasheet for the TPC8045-H.