TPC8106H

SILICON P CHANNEL MOS TYPE The TPC8106H is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -6.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 45mΩ (max) at V_GS = -10V  
  - 60mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  

### **Description:**
The TPC8106H is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and DC-DC converters.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs  
- Suitable for battery protection and power management applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Toshiba's official documentation.

SILICON P CHANNEL MOS TYPE