TPC8117

Power MOSFET (P-ch single) The TPC8117 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -18 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 70 mΩ (max) at V_GS = -10 V, I_D = -4.5 A  
  - 100 mΩ (max) at V_GS = -4.5 V, I_D = -2.5 A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4 V to -2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 9.5 nC (typ)  

### **Package:**  
- **Package Type:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High-speed switching performance  
- Suitable for power management applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TPC8117 MOSFET.

Power MOSFET (P-ch single)