TPC8125

Power MOSFET (P-ch single) The TPC8125 is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Power MOSFET Module  
- **Configuration:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- High-speed switching capability.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Robust thermal performance due to TO-220 package.  
- Includes built-in protection against overcurrent and overheating.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Power MOSFET (P-ch single)