TPC8209

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications The TPC8209 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (Ta = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPC8209 is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion circuits.  
- The device is housed in a compact SOP-8 package, making it suitable for space-constrained applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss during operation.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Compact Package:** SOP-8 (Small Outline Package) for space-saving designs.  
- **High Reliability:** Robust construction for stable performance in various conditions.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications