TPC8A07-H

HIgh Effciency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable-Equipment Applications The TPC8A07-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 220pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The TPC8A07-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for power switching applications in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High-speed switching performance.  
- Robust and reliable construction for demanding environments.  
- Suitable for high-current applications.  
- TO-220 package for efficient heat dissipation.  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba’s official documentation.

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