Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPCA8A02-H** is a **dual N-channel MOSFET** designed for high-speed switching applications. Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:
### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGSS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 5.5A (per channel)  
- **Total Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 30mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**
- The **TPCA8A02-H** is a **dual N-channel MOSFET** in an **SOP-8 package**, optimized for **high-speed switching** in power management applications.  
- It is commonly used in **DC-DC converters, motor drivers, and load switches** due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  
### **Features:**
- **Low on-resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Dual N-channel configuration** in a single package, saving board space.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications (if applicable).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.