TPCA8A08-H

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8A08-H is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The TPCA8A08-H is a high-power N-channel MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for switching power supplies, motor control, and other high-efficiency power management systems.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in high-stress conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance.  

This information is based solely on the available knowledge base for the TPCA8A08-H MOSFET by TOSHIBA.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)