TB1010F

CR TIMER The TB1010F is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Ratings:**  
  - **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
  - **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
  - **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
  - **Collector Current (IC):** 3A  
  - **Total Power Dissipation (PT):** 30W  
- **Electrical Characteristics:**  
  - **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)  
  - **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.5V (max) (at IC = 1A, IB = 0.1A)  
  - **Transition Frequency (fT):** 50MHz  

### **Descriptions:**  
- The TB1010F is a medium-power NPN transistor in a TO-220F package, designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It features an isolated mounting surface, making it suitable for applications requiring electrical isolation from the heatsink.  

### **Features:**  
- High current capability (up to 3A).  
- Low collector-emitter saturation voltage.  
- Isolated TO-220F package for improved thermal and electrical isolation.  
- Suitable for power amplification and switching circuits.  

For exact application details, refer to Toshiba’s official datasheet.

CR TIMER