CR TIMER The TB1022F is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Drain Current (I_D):** 30A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  

### **Descriptions:**  
- The TB1022F is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor drivers, and other high-efficiency applications.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced power loss  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- Isolated TO-220F package for simplified thermal management  
- High current handling capability (30A)  
- Suitable for high-frequency switching applications  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TB1022F. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.