W High Linearity Variable Gain Amplifier Here is the factual information about part **TQM8M9074** from the manufacturer **TriQuint** (now part of Qorvo):

### **Specifications:**
- **Part Number:** TQM8M9074  
- **Manufacturer:** TriQuint Semiconductor (now Qorvo)  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Technology:** GaAs (Gallium Arsenide)  
- **Frequency Range:** 1.8 GHz – 2.0 GHz  
- **Application:** Cellular Infrastructure (e.g., GSM, EDGE, WCDMA)  
- **Package:** 8-lead DFN (Dual Flat No-Lead)  
- **Operating Voltage:** 28 V  
- **Output Power:** 40 W (P1dB)  
- **Gain:** 15 dB (typical)  
- **Efficiency:** 45% (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**
- The **TQM8M9074** is a high-power RF transistor designed for use in cellular base station amplifiers.  
- It is optimized for high efficiency and linearity in the 1.8 GHz to 2.0 GHz frequency range.  
- The device is built using TriQuint’s advanced GaAs process technology for reliable performance.  

### **Features:**
- High power output (40 W P1dB)  
- High gain (15 dB typical)  
- Excellent efficiency (45% typical)  
- Matched for 50 Ω operation  
- RoHS compliant  
- Suitable for pulsed and continuous-wave (CW) applications  

This information is based on publicly available datasheets and technical documentation from TriQuint (Qorvo). For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.