TS20P06G

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers The TS20P06G is a P-channel enhancement mode power MOSFET manufactured by Taiwan Semiconductor (TSMC). Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.06Ω (at V_GS = -10V, I_D = -10A)  
  - 0.08Ω (at V_GS = -4.5V, I_D = -10A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The TS20P06G is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **High Current Handling:** Supports up to -20A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal dissipation.  

The information is sourced from the manufacturer’s datasheet.

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers