TS6B06G

Single Phase 6.0 Amps. Glass Passivated Bridge Rectifiers The TS6B06G is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Maximum Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  

### **Descriptions:**
- The TS6B06G is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design for PCB mounting.  
- **High Voltage Tolerance:** Supports up to 60V drain-source voltage.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Operates efficiently with low gate voltage.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Single Phase 6.0 Amps. Glass Passivated Bridge Rectifiers