Single Phase 6.0 Amps. Glass Passivated Bridge Rectifiers The TS6P06G is a P-channel MOSFET manufactured by SAMPLE. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TS6P06G is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- High power dissipation capability  
- Enhanced thermal performance  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.