EMG9 / UMG9N / FMG9A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Here are the factual details about part **UMG9 N TR** from manufacturer **ROHM** based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Part Number:** UMG9 N TR  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 150mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 to 400  

### **Descriptions and Features:**
- **Description:** The UMG9 N TR is a high-voltage NPN transistor in a small SOT-363 package, suitable for amplification and switching applications.  
- **Features:**  
  - Low saturation voltage  
  - High current gain  
  - Small form factor (SOT-363) for space-saving designs  
  - Suitable for high-frequency applications (up to 200MHz)  

This information is strictly based on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.

EMG9 / UMG9N / FMG9A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)