NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Here are the factual details about part **UMH9N TN** from the manufacturer **ROHM** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** UMH9N TN  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency operations.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Logic Level Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power management in DC-DC converters, motor drivers, and battery protection circuits.  

This information is strictly based on ROHM's provided specifications for the UMH9N TN MOSFET.

NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors