Ultra-high-frequency NPN transistor array The part **UPA102G-E1** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA102G-E1  
- **Type:** High-speed switching diode array  
- **Configuration:** Dual common cathode diode  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 50V  
- **Forward Current (IF):** 100mA  
- **Forward Voltage (VF):** 1V (typical) at 10mA  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  

### **Descriptions:**  
The UPA102G-E1 is a high-speed switching diode array designed for applications requiring fast switching and low leakage. It consists of two diodes with a common cathode configuration, making it suitable for signal processing, high-frequency rectification, and protection circuits.  

### **Features:**  
- **High-speed switching** with low reverse recovery time (4ns typical)  
- **Low forward voltage** for efficient operation  
- **Compact SOT-363 package** for space-saving PCB design  
- **Dual common cathode configuration** for simplified circuit integration  
- **Wide operating temperature range** for versatile applications  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.