NPN silicon epitaxial power transistor array. Low speed switching (darlington). **Part Number:** UPA1426H  
**Manufacturer:** NEC  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Drain Current (ID):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions:**  
The UPA1426H is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is suitable for use in DC-DC converters, motor drivers, and other power management circuits.  

**Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Built-in protection against overcurrent and overheating  
- Compact surface-mount package (TO-252) for space-saving designs  

(Source: NEC Datasheet)

NPN silicon epitaxial power transistor array. Low speed switching (darlington).