### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 30W  
- **Collector-Base Voltage (Vcb):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (Vce):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Collector Current (Ic):** 4A  
- **Transition Frequency (ft):** 175MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for RF power amplification in VHF/UHF bands.  
- High power gain and efficiency.  
- Suitable for linear and switching applications.  
- Robust thermal performance due to TO-220 package.  
- Commonly used in communication equipment and industrial RF systems.  

(Note: NEC may have discontinued this part; verify availability with authorized distributors.)