**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 30V  
- **Drain Current (Id):** 6A  
- **Power Dissipation (Pd):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.06Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typ)  
- **Package:** SOP-8  

**Descriptions and Features:**  
- High-speed switching performance.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power management applications.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- RoHS compliant.  

(Note: For detailed datasheet information, refer to NEC's official documentation.)