### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 5A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.1Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 250pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- A dual N-channel MOSFET in a compact surface-mount package.  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power management in portable electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching speed.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- Built-in ESD protection.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application requirements.)