**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- High-speed switching performance  
- Low on-resistance  
- Built-in gate protection diode  
- Suitable for power management applications  
- RoHS compliant  

(Note: Always verify specifications with the latest datasheet.)