Nch enhancement type power MOS FET The part **UPA1706G-E2** is manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA1706G-E2  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (typical)  

### **Descriptions:**
- The **UPA1706G-E2** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is housed in an SOP-8 package, making it suitable for space-constrained designs.  
- The device is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Capability:** Supports up to 6A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Ideal for portable and compact electronics.  
- **Low Gate Drive Voltage:** Compatible with low-voltage control circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.