SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE **Manufacturer:** NEC  
**Part Number:** UPA1706G  
**Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN Transistor Array  
- **Package:** SSOP (Shrink Small Outline Package)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEB):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA (per transistor)  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 400  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
**Descriptions and Features:**  
- Contains two independent NPN transistors in a single package.  
- Designed for high-speed switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Suitable for use in driver circuits, interface circuits, and general-purpose amplification.  
- Compact SSOP package for space-saving PCB designs.  
(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)