Nch enhancement type power MOS FET The part **UPA1707G-E2** is a semiconductor device manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **NEC**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Voltage Rating:** -30V (Drain-Source Voltage, VDS)  
- **Current Rating:** -4.5A (Drain Current, ID)  
- **Power Dissipation:** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 120mΩ (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -1.5V (max)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for power switching applications.  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Suitable for battery management, load switching, and DC-DC conversion.  
- Built-in protection against overcurrent and thermal issues.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on the available technical data for **UPA1707G-E2**. No additional recommendations or interpretations are provided.