Pch enhancement type power MOS FET The **UPA1715G-E1** is a **dual N-channel MOSFET** manufactured by **Renesas Electronics**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Renesas Electronics**  

### **Key Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 40mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.6V (min) – 1.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 140pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 10ns (typ)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 30ns (typ)  

### **Package:**  
- **SOP-8 (Small Outline Package, 8-pin)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for reduced power loss  
- **Fast Switching Speed** for high-efficiency applications  
- **Low Threshold Voltage** for compatibility with low-voltage drive circuits  
- **Avalanche Energy Specified** for improved ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **Power Management Circuits**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Load Switching**  
- **Battery Protection Circuits**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Pch enhancement type power MOS FET The part **UPA1715G-E1** is manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **NEC**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Configuration:** Common-drain  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Drain Current (ID):** 4A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **UPA1715G-E1** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance (RDS(on))** for reduced power loss.  
- **Compact package (SSOP6)** for space-saving designs.  
- **High-speed switching** capability.  
- **Common-drain configuration** simplifies circuit design.  
- **RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional suggestions or guidance are included.