N-channel enhancement type power MOS FET The part **UPA1722G-E2** is a **Dual N-channel MOSFET** manufactured by **Renesas Electronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Package:** SSOP8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A per channel  
- **R_DS(on)GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (Ta = 25°C)  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- High-speed switching  
- Logic level compatible  
- Built-in gate protection diode  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.