N-channel enhancement type power MOS FET The part **UPA1723G-E2** is manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA1723G-E2  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 45mΩ (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  

### **Descriptions:**  
- The UPA1723G-E2 is a **dual N-channel MOSFET** in an SOP-8 package.  
- It is designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- Suitable for **power management, DC-DC converters, and motor control**.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance (RDS(on))** for reduced power loss.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Compact SOP-8 package** for space-saving designs.  
- **Low gate drive requirements** for compatibility with logic-level signals.  
- **High current handling capability** (6A per channel).  

This information is based solely on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.