Pch enhancement type power MOS FET The **UPA1730G-E1** is a **GaN (Gallium Nitride) HEMT (High Electron Mobility Transistor)** manufactured by **ROHM Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** Enhancement-mode GaN HEMT  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 300mΩ (max)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-252-4 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Utilizes GaN technology for low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed operation in power applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces power dissipation and improves thermal performance.  
- **Reliability:** Robust design for industrial and automotive applications.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor drives, and other high-frequency switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's specifications.

Pch enhancement type power MOS FET