**Specifications:**  
- **Type:** High-speed switching transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1W  
- **Transition Frequency (ft):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage for efficient performance.  
- Suitable for use in driver circuits, inverters, and general-purpose amplification.  
- Compact TO-92 package for easy integration into circuits.  
- High transition frequency (ft) ensures fast response times.  

(Note: Ensure to verify datasheet details for exact application requirements.)