N-channel enhancement type power MOS FET(Dual type) The **UPA1760G-E1** is a semiconductor device manufactured by **NEC**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **NEC** (Nippon Electric Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET or similar semiconductor component (exact type may vary based on datasheet).  
- **Package:** Likely comes in a standard surface-mount or through-hole package (specific package details should be verified in the datasheet).  
- **Voltage & Current Ratings:** Exact values depend on the component’s datasheet (e.g., drain-source voltage, gate threshold, etc.).  
- **Application:** Used in power management, switching circuits, or amplification (specific use case depends on datasheet).  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Designed for low power loss in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Helps minimize conduction losses.  
- **Reliability:** NEC components are known for durability and stable performance.  

For precise technical details, refer to the official **NEC datasheet** for **UPA1760G-E1**.

N-channel enhancement type power MOS FET(Dual type)