N-channel enhancement type power MOS FET(Dual type) The part **UPA1760G-E2** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA1760G-E2  
- **Type:** High-frequency, low-noise amplifier (LNA)  
- **Package:** SOT-89 (Surface-mount package)  
- **Operating Frequency Range:** Designed for high-frequency applications (exact range may vary)  
- **Gain:** High gain performance for signal amplification  
- **Noise Figure:** Low noise figure for improved signal clarity  
- **Voltage Supply:** Typically operates at low voltage (exact value may vary)  
- **Current Consumption:** Low current consumption for efficiency  

### **Descriptions:**  
- The **UPA1760G-E2** is a high-frequency amplifier IC designed for low-noise signal amplification in RF and communication applications.  
- It is commonly used in wireless communication systems, satellite receivers, and other high-frequency circuits.  
- The SOT-89 package ensures compact and efficient PCB integration.  

### **Features:**  
- **Low Noise:** Optimized for minimal signal degradation.  
- **High Gain:** Provides strong signal amplification.  
- **Compact Design:** SOT-89 package for space-saving applications.  
- **Wide Frequency Range:** Suitable for various RF applications.  
- **Low Power Consumption:** Energy-efficient operation.  

For exact electrical characteristics, refer to the official NEC datasheet.