N-channel enhancement type power MOS FET(Dual type) **Part Number:** UPA1760G  
**Manufacturer:** NEC  
### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 700pF (typ)  
- **Package:** SOP-8  
### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Contains two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal losses.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for switching applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design for PCB integration.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  
*(Note: Always verify current datasheet details from the manufacturer for updated specifications.)*