N-channel enhancement type power MOS FET(Dual type) The part **UPA1763G-E1** is manufactured by **NEC**.  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** IC (Integrated Circuit)  
- **Category:** Analog or Power Management IC (specific function not explicitly stated in the provided knowledge base)  

### **Descriptions & Features:**  
- The UPA1763G-E1 is an integrated circuit designed for specific electronic applications.  
- It is part of NEC's semiconductor product lineup.  

*(Note: Additional technical details such as voltage ratings, current handling, package type, or application-specific functions are not provided in Ic-phoenix technical data files.)*

N-channel enhancement type power MOS FET(Dual type) The **UPA1763G-E1** is a P-channel MOSFET manufactured by **Renesas Electronics Corporation**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Renesas Electronics Corporation**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 60mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Package:**  
- **Package Type:** SOP-8  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- Fast switching performance  
- High power efficiency  
- Suitable for power management applications  

### **Applications:**  
- Power switches  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery management  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.