P-channel enhancement type power MOS FET(Dual type) The **UPA1770G-E1** is a semiconductor component manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **NEC** (Nippon Electric Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** High-frequency RF transistor  
- **Application:** Used in RF amplification circuits, particularly in communication and broadcasting equipment.  
- **Package:** SOT-89 (surface-mount package)  
- **Operating Frequency:** Designed for UHF (Ultra High Frequency) band applications.  
- **Power Output:** Suitable for medium-power RF amplification.  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Gain:** Provides high power gain in RF applications.  
- **Low Noise:** Optimized for low-noise performance in signal amplification.  
- **Reliability:** Designed for stable operation in communication systems.  
- **Thermal Performance:** Efficient heat dissipation due to the SOT-89 package.  

This information is based on NEC's technical documentation for the **UPA1770G-E1**. For exact electrical characteristics, refer to the official datasheet.