Nch enhancement type MOS FET The **UPA1803GR-9JG-E2** is a high-frequency amplifier module manufactured by **NEC**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Manufacturer:** NEC (Now part of **Renesas Electronics Corporation**)  

### **Specifications:**  
- **Frequency Range:** 1.8 GHz (Designed for **PCS, W-CDMA, LTE, and other wireless applications**)  
- **Gain:** Typically **15 dB** (Exact value may vary based on operating conditions)  
- **Output Power:** **9 dBm** (Linear output power)  
- **Package Type:** **Surface Mount (SMD)**  
- **Supply Voltage:** **3.3 V** (Standard operating voltage)  
- **Current Consumption:** ~ **80 mA** (Typical operating current)  
- **Noise Figure:** **Low noise performance** (Exact value not specified in public datasheets)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Frequency Amplifier:** Designed for **RF and microwave applications** in the **1.8 GHz band**.  
- **Low Noise & High Gain:** Optimized for **low noise amplification (LNA)** in wireless communication systems.  
- **Compact SMD Package:** Suitable for **PCB integration** in small-form-factor devices.  
- **Wideband Performance:** Supports **multiple wireless standards** (PCS, W-CDMA, LTE).  
- **Single Supply Operation:** Simplified power supply design with **3.3V operation**.  

This module is commonly used in **base stations, repeaters, and mobile communication devices**. For exact performance curves and detailed electrical characteristics, refer to the **official NEC/Renesas datasheet**.  

Would you like additional details on a specific parameter?