N-channel enhancement type MOS FET The **UPA1872GR-9JG-E1** is a semiconductor component manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **NEC** (Nippon Electric Company)  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** UPA1872GR-9JG-E1  
- **Type:** RF Amplifier IC  
- **Package:** SOP (Small Outline Package)  
- **Frequency Range:** Designed for high-frequency applications (exact range not specified in Ic-phoenix technical data files)  
- **Applications:** Used in RF communication systems, wireless modules, and signal amplification circuits  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Noise Amplifier (LNA):** Optimized for minimal noise in signal amplification  
- **High Gain:** Provides strong signal amplification for weak RF signals  
- **Wideband Operation:** Suitable for various frequency bands  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient performance  
- **Surface-Mount Technology (SMT):** Compatible with automated PCB assembly  

(Note: Additional technical parameters such as voltage, current, and exact frequency specifications are not provided in Ic-phoenix technical data files.)