N-channel enhancement type MOS FET **Manufacturer:** NEC  
**Part Number:** UPA1874BGR-9JG-E1  
### **Specifications:**  
- **Type:** RF Amplifier IC  
- **Frequency Range:** 1.5 GHz to 2.5 GHz  
- **Gain:** 18 dB (typical)  
- **Noise Figure:** 2.0 dB (typical)  
- **Output Power:** 20 dBm (typical)  
- **Supply Voltage:** 3.3 V  
- **Current Consumption:** 80 mA (typical)  
- **Package:** 16-pin QFN  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
### **Descriptions & Features:**  
- High-performance RF amplifier for wireless communication applications.  
- Low noise figure and high gain for improved signal integrity.  
- Designed for use in LTE, Wi-Fi, and other broadband wireless systems.  
- Compact QFN package for space-constrained designs.  
- Integrated bias circuit for simplified design implementation.  
(Note: Specifications may vary based on datasheet revisions.)